Компания Samsung сообщила о начале массового производства высокоскоростных чипов памяти GDDR5 – 50-нанометровый техпроцесс позволил довести частоту до 7 ГГц. При этом энергопотребление даже понизилось, а тепловыделение осталось в пределах разумного. Так, новые чипы потребляют 1,35 В энергии, это заметно ниже 1,425-1,575 В у доступных в данный момент чипов GDDR5. Samsung ожидает, что эффективность производства повысится на 100% по сравнению с нынешним 60-нанометровым техпроцессом. Новая память может обеспечить пропускную способность 224 Гб/с или 448 Гб/с (при подключении к 256- или 512-битной шине соответственно).
Зарег. на сайте Всего: 326 Новых за месяц: Новых за неделю: Новых вчера: Новых сегодня: Из них Администраторов: 1 Модераторов: 2 Проверенных: 0 Обычных юзеров: 322 Забаненных юзеров: 1 Из них Парней: 317 Девушек: 9
Сделать стартовой
Компания Samsung сообщила о начале массового производства высокоскоростных чипов памяти GDDR5 – 50-нанометровый техпроцесс позволил довести частоту до 7 ГГц. При этом энергопотребление даже понизилось, а тепловыделение осталось в пределах разумного. Так, новые чипы потребляют 1,35 В энергии, это заметно ниже 1,425-1,575 В у доступных в данный момент чипов GDDR5. Samsung ожидает, что эффективность производства повысится на 100% по сравнению с нынешним 60-нанометровым техпроцессом. Новая память может обеспечить пропускную способность 224 Гб/с или 448 Гб/с (при подключении к 256- или 512-битной шине соответственно).
